itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSP295E6327
Gyártási szám | BSP295E6327 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSP295E6327 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | SIPMOS® |
BSP295E6327 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 368pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.8W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-SOT223-4 |
Csomag / eset | TO-261-4, TO-261AA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP295E6327 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSP295E6327-FT |
IPU09N03LB G
Infineon Technologies
IPU103N08N3 G
Infineon Technologies
IPU105N03L G
Infineon Technologies
IPU10N03LA
Infineon Technologies
IPU135N03L G
Infineon Technologies
IPU135N08N3 G
Infineon Technologies
IPU13N03LA G
Infineon Technologies
IPU20N03L G
Infineon Technologies
IPU50R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R1K4CEBKMA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel