itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / BSM25GD120DN2BOSA1
Gyártási szám | BSM25GD120DN2BOSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSM25GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
BSM25GD120DN2BOSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Not For New Designs |
IGBT típus | - |
Configuration | Full Bridge |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 1200V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 35A |
Teljesítmény - Max | 200W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 800µA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | No |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | Module |
Beszállítói eszközcsomag | Module |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM25GD120DN2BOSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSM25GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel