itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / BSM200GB120DN2HOSA1
Gyártási szám | BSM200GB120DN2HOSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSM200GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
BSM200GB120DN2HOSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Not For New Designs |
IGBT típus | - |
Configuration | Half Bridge |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 1200V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 290A |
Teljesítmény - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 200A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 4mA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | No |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | Module |
Beszállítói eszközcsomag | Module |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM200GB120DN2HOSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSM200GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation