itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / BSM150GB120DN2HOSA1
Gyártási szám | BSM150GB120DN2HOSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSM150GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
BSM150GB120DN2HOSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Not For New Designs |
IGBT típus | - |
Configuration | Half Bridge |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 1200V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 210A |
Teljesítmény - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 2.8mA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | No |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | Module |
Beszállítói eszközcsomag | Module |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM150GB120DN2HOSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSM150GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
LFEC3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
5CGXFC9D7F27C8N
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA4H3F35C3N
Intel
LFXP15E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19C7N
Intel
EP1C20F400C6N
Intel
EPF10K50SBC356-3
Intel