itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / BSM150GB120DN2HOSA1
Gyártási szám | BSM150GB120DN2HOSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSM150GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
BSM150GB120DN2HOSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Not For New Designs |
IGBT típus | - |
Configuration | Half Bridge |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 1200V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 210A |
Teljesítmény - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 2.8mA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | No |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | Module |
Beszállítói eszközcsomag | Module |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM150GB120DN2HOSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSM150GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I4L
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel