itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / BSM100GB170DN2HOSA1
Gyártási szám | BSM100GB170DN2HOSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSM100GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
BSM100GB170DN2HOSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
IGBT típus | - |
Configuration | Half Bridge |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 1700V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 145A |
Teljesítmény - Max | 1000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 100A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 1mA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 16nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | No |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | Module |
Beszállítói eszközcsomag | Module |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB170DN2HOSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSM100GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation