itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSC050NE2LSATMA1
Gyártási szám | BSC050NE2LSATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSC050NE2LSATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
BSC050NE2LSATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 39A (Ta), 58A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 12V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TDSON-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC050NE2LSATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSC050NE2LSATMA1-FT |
IRF7809AV
Infineon Technologies
IRF7809PBF
Infineon Technologies
IRF7809TR
Infineon Technologies
IRF7811
Infineon Technologies
IRF7811A
Infineon Technologies
IRF7811APBF
Infineon Technologies
IRF7811ATR
Infineon Technologies
IRF7811ATRPBF
Infineon Technologies
IRF7811AVPBF
Infineon Technologies
IRF7811AVTR
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel