itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BS107G
Gyártási szám | BS107G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BS107G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
BS107G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 350mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-92-3 |
Csomag / eset | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS107G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BS107G-FT |
RJK6013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK6026DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL5012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL6012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL6013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK4532DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5033DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK4006DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-00#J2
Renesas Electronics America
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel