itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - IGBT - modulok / APTGT200A170D3G
Gyártási szám | APTGT200A170D3G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-APTGT200A170D3G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
APTGT200A170D3G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
IGBT típus | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 1700V |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 400A |
Teljesítmény - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 200A |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 5mA |
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce | 17nF @ 25V |
Bemenet | Standard |
NTC termisztor | No |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Chassis Mount |
Csomag / eset | D-3 Module |
Beszállítói eszközcsomag | D3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200A170D3G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | APTGT200A170D3G-FT |
FS820R08A6P2BPSA1
Infineon Technologies
FS820R08A6P2LBBPSA1
Infineon Technologies
FS820R08A6P2LMBPSA1
Infineon Technologies
FS900R08A2P2B31BOSA1
Infineon Technologies
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I2LN
Intel
EP4CGX15BF14A7N
Intel
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD9A5U19C7N
Intel
EPF10K50VBC356-3
Intel