itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / 2N7002_NB9G002
Gyártási szám | 2N7002_NB9G002 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-2N7002_NB9G002 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
2N7002_NB9G002 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 115mA (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 200mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-23 (TO-236AB) |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002_NB9G002 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | 2N7002_NB9G002-FT |
SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2336DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2367DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2315ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2361AEES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
NDS351N
ON Semiconductor
NDS355N
ON Semiconductor
SI2343DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2337ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel