itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / 2N7002_L99Z
Gyártási szám | 2N7002_L99Z |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-2N7002_L99Z |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
2N7002_L99Z Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 115mA (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 200mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-23 (TO-236AB) |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002_L99Z Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | 2N7002_L99Z-FT |
SI2307CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2336DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2367DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2315ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2361AEES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
NDS351N
ON Semiconductor
NDS355N
ON Semiconductor
SI2343DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel